紫光半导体产业基地开工建设 产业由向外并购转自主研发

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  大陆积极发展半导体产业计划,已引发欧美等国家忧心恐危及国家安全,多起大陆主导的并购案被阻止。未来,大陆扶植半导体产业的主策略,可能从过去并购国际大厂,转为增强自主研发技术。然而,面对全球专利网地雷,大陆自主发展半导体技术恐将引爆专利大战。

  由于许多半导体芯片技术与国防科技、资讯安全息息相关,使得美国一直对于半导体设备出口至大陆进行严密管制,大陆大张旗鼓扶植半导体产业,未来恐将威胁到其他国家资讯安全,近期美国阻挡大陆企业并购动作越来越明显。

  紫光南京半导体产业基地开工建设

  日前,总投资300亿美元的紫光南京半导体产业基地和总投资300亿元人民币的紫光IC国际城项目正式宣布开工。这是紫光集团继2016年12月30日武汉长江存储项目开工后,时隔一个多月又一“航母级”项目破土动工。

  据悉,紫光南京半导体产业基地项目由紫光集团投资建设,主要产品为3D-NAND FLASH、DRAM存储芯片等,占地面积约1500亩。项目一期投资约100亿美元,月产芯片10万片。项目达产后,将有力地支撑我国在主流存储器领域的跨越式发展。除投资额高达300亿美元的芯片工厂建设以外,紫光集团还将投资约300亿元人民币建设配套的IC国际城,包含科技园、设计封装产业基地、国际学校、商业机构、国际人才公寓等综合配套设施。

  紫光南京半导体产业基地项目位于南京市江北新区浦口经济开发区,以存储芯片及存储器尖端制造环节为突破口,集存储产品设计、技术研发、生产制造、销售于一体,可带动设计、制造、封装、测试等集成电路产业链的发展。该项目投资强度居中国集成电路行业单体投资前列,将产生巨大的虹吸效应,并吸引更多的产业链企业和科技人才聚集,加快本地高新技术产业发展。

紫光半导体产业基地开工建设 产业由向外并购转自主研发

  大陆半导体产业由向外并购转自主研发

  随着大陆越来越聚焦在先进技术,强力收购世界级企业,已引发欧美国家担心,美国总统川普上任后,对于大陆投资美国企业和技术的态度恐更强硬,让业界关注大陆推动半导体大计,以及提升芯片自制率的目标,是否会受到影响。

  根据2016-2021年中国半导体存储器行业发展分析及投资潜力研究报告的数据,大陆订立半导体芯片自给率目标在2020年达到40%,2025年达到70%,且分为4个阶段,从原本是依赖外资,2020年目标学习自主,2025年目标掌握关键技术,并在2030年领导技术。至于半导体技术发展,大陆预计2015年量产32/28纳米制程,2020年量产16/14纳米制程技术。

  大陆要达到上述的目标,资金和技术是两大关键,以紫光为首的大陆官方基金已展现雄厚实力,但在技术方面却遇到大难题,欧美国家对于大陆发展半导体恐危及国家资讯安全等顾忌,使得大陆要用并购方式取得欧美企业的关键技术,难度明显提升。

  未来大陆发展半导体产业主要策略,将从向外并购逐渐转为自主研发,透过挖角台湾半导体相关人才及技术团队,加速大陆半导体产业发展。不过,面对多数的半导体技术已被欧美国家和企业注册专利,尽管现阶段欧美业者仍不动声色,然一旦大陆半导体自制芯片规模扩大后,将全面发动专利大战,届时大陆恐面临专利地雷的严酷袭击。


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